為了更好地理解鎳基鈣鈦礦氧化物質(zhì)子化過程,西湖大學(xué)工學(xué)院陸啟陽團(tuán)隊(duì)使用水溶液電化學(xué)方法研究鎳基鈣鈦礦氧化物的質(zhì)子化過程,發(fā)現(xiàn)鎳基鈣鈦礦氧化物晶格在質(zhì)子化過程中發(fā)生了巨大的化學(xué)膨脹。同時(shí),研究團(tuán)隊(duì)基于水溶液電化學(xué)方法制備了一種新型的電化學(xué)器件,實(shí)現(xiàn)了單一薄膜器件空間上質(zhì)子濃度的梯度分布。利用質(zhì)子濃度梯度分布這一特性,研究團(tuán)隊(duì)在一個(gè)器件中研究了材料晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、電子輸運(yùn)與質(zhì)子濃度之間的關(guān)系。該成果以“Protonation-Induced Colossal Chemical Expansion and Property Tuning in NdNiO3Revealed by Proton Concentration Gradient Thin Films”為題發(fā)表在國際期刊《Nano Letters》上,第一作者為西湖大學(xué)工學(xué)院博士生陳浩文與西湖大學(xué)理學(xué)院博士生董明東,通訊作者為西湖大學(xué)助理教授陸啟陽博士。該工作的合作者包括中國科學(xué)院物理研究所的郭爾佳研究員、張慶華副研究員,清華大學(xué)谷林教授以及西湖大學(xué)理學(xué)院吳頡研究員。
利用三電極體系水溶液電化學(xué)方法,研究者通過施加一個(gè)還原電壓,將質(zhì)子摻雜到鎳基鈣鈦礦氧化物的晶格之中,形成了一個(gè)穩(wěn)定的質(zhì)子化相HxNdNiO3。通過高分辨薄膜X射線衍射儀分析發(fā)現(xiàn)質(zhì)子化相的晶格常數(shù)膨脹達(dá)到了13%(圖1. (b))。而在之前報(bào)道的所有氧化物體系中,由質(zhì)子化引起的晶格膨脹數(shù)值最高為3%,遠(yuǎn)小于我們?cè)谶@個(gè)體系中發(fā)現(xiàn)的數(shù)值。如此巨大的晶格膨脹為本課題組首次發(fā)現(xiàn),這有助于我們更好地理解氧化物材料中的力-化學(xué)耦合,以及設(shè)計(jì)如電化學(xué)執(zhí)行器功能器件等。我們繼續(xù)通過掃描透射電鏡(Scanning Transmission Electron Microscopy, STEM)對(duì)質(zhì)子化相進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)質(zhì)子化相的晶格表現(xiàn)出很大的NiO6八面體扭曲和Nd陽離子位移(圖1. (c)&(d))。

圖1. (a) 通過三電極體系水溶液電化學(xué)方法誘導(dǎo)鎳基發(fā)生質(zhì)子化相變。(b) 鎳基鈣鈦礦氧化物與質(zhì)子化鎳基鈣鈦礦氧化物高分辨薄膜X射線衍射圖。(c)&(d) 高角環(huán)形暗場(chǎng)像-掃描透射電子像。傳統(tǒng)的研究方法需要合成大量的樣品用于研究氧化物的質(zhì)子化過程。這樣一個(gè)過程需要進(jìn)行大量的工作,且容易導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)誤差,影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。而在我們通過水溶液電化學(xué)方法設(shè)計(jì)的新型器件中,我們?cè)跇悠穬啥耸┘恿瞬煌笮〉倪€原電壓,使得電勢(shì)在樣品中呈梯度分布。電勢(shì)的空間梯度分布驅(qū)動(dòng)質(zhì)子濃度在空間上也由低至高呈梯度分布。結(jié)合具有空間分辨率的表征與測(cè)試技術(shù),如X射線衍射、X射線光電子能譜、飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜、低溫電子輸運(yùn)測(cè)量等,我們可以在一個(gè)樣品中研究晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、電子輸運(yùn)等物理性質(zhì)與質(zhì)子濃度之間的關(guān)系,精準(zhǔn)構(gòu)筑物理性質(zhì)和質(zhì)子濃度之間的定量關(guān)系和相圖。

圖2. (a) 通過水溶液電化學(xué)方法合成存在質(zhì)子濃度梯度分布樣品。(b) 利用具有空間分辨率的表征與測(cè)試技術(shù)在質(zhì)子濃度梯度分布樣品中研究材料物性與質(zhì)子濃度的關(guān)系。我們首先使用了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜確定了樣品中質(zhì)子濃度在空間上呈梯度分布。使用薄膜X射線衍射儀在微區(qū)上對(duì)樣品進(jìn)行表征,我們發(fā)現(xiàn)鎳基鈣鈦礦氧化物在質(zhì)子化過程中晶格存在兩相共存的區(qū)域。我們通過X射線光電子能譜的表征分析樣品的價(jià)帶,發(fā)現(xiàn)鎳離子的價(jià)態(tài)隨著質(zhì)子濃度的上升而降低。通過低溫電子輸運(yùn)測(cè)試,我們發(fā)現(xiàn)少量的質(zhì)子能夠完全抑制鎳基鈣鈦礦氧化物本身存在的金屬-絕緣體相變,使樣品完全變?yōu)榻饘伲娮杪孰S著溫度降低而降低。

圖3. (a) 通過飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜確定樣品上不同位置的質(zhì)子濃度。(b) 利用薄膜X射線衍射儀確定在樣品不同位置上具有不同質(zhì)子濃度的區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)。(c) 利用X射線光電子能譜確定在樣品不同位置上具有不同質(zhì)子濃度的區(qū)域的價(jià)帶。(c) 樣品不同位置上具有不同質(zhì)子濃度的區(qū)域的電阻率隨溫度變化。在這項(xiàng)工作中,我們系統(tǒng)地研究了質(zhì)子摻雜鎳基鈣鈦礦氧化物中質(zhì)子濃度與結(jié)構(gòu)和物性之間的關(guān)系。此項(xiàng)工作進(jìn)一步為研究氧化物中離子電導(dǎo)、離子擴(kuò)散、光學(xué)性質(zhì)、催化性質(zhì)等物理化學(xué)性質(zhì)與質(zhì)子濃度之間的關(guān)系打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。論文鏈接:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c03229